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Speicherchips, schneller als SATA-basierende SSD für PCs

Samsung: Erstes UFS-Memory mit 256-GByte für Highend-Mobilgeräte

26. Februar 2016, 12:19 Uhr | LANline/jos

+++ Produkt-Ticker +++ Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion der nach eigenen Angaben ersten 256-GiByte-Embedded-Memory-Bausteine auf Basis des Universal-Flash-Storage-Standards 2.0 (UFS) für anspruchsvollste Mobilgeräte begonnen. Das neue Embedded Memory biete eine herausragende Leistungsfähigkeit, die typische SATA-SSDs für PCs übertrifft.

„Indem wir High-Density UFS Memory anbieten, das fast doppelt so schnell wie SATA SSD für PCs ist, tragen wir zu einem Paradigmenwechsel auf dem Markt für Mobilgerätespeicher bei,“ sagt Joo Sun Choi, Executive Vice President, Memory Sales and Marketing, Samsung Electronics. „Wir sind entschlossen, den Wettbewerbsvorsprung bei Premium-Storage-Angeboten weiter auszubauen – OEM NVMe SSDs, externe SSDs und UFS – indem wir mit vollem Ehrgeiz die Leistungsfähigkeit und Kapazität in allen drei Märkten in die Höhe treiben.““

Das neue UFS Memory erfülle die Anforderungen von Highend-Smartphones hinsichtlich ultrahoher Geschwindigkeit, großer Speicherkapazität und kompakten Chip-Abmessungen. Es basiert auf den neuesten V-NAND-Flash-Memory-Chips des Herstellers und einem speziell entwickelten leistungsstarken Controller. Das UFS Memory verarbeitet bis zu 45.000 und 40.000 Ein/Ausgangs-Operationen pro Sekunde (IOPS) für wahlfreies Lesen und Schreiben. Es ist damit über zwei Mal schneller als die bisherige UFS-Speichergeneration mit 19.000 und 14.000 IOPS.