NXP stellt RF-Leistungstransistoren für Massive MIMO vor
Den 5G-Ausbau vorantreiben
NXP Semiconductors stellte eine Serie von diskreten HF-Leistungstransistoren für 32T32R-Aktivantennensysteme vor, die auf der unternehmenseigenen Galliumnitrid-Technik (GaN) basieren. Diese Transistor-Serie ergänzt das bestehende Angebot von NXP an diskreten GaN-Leistungsverstärkern für 64T64R-Funkgeräte, die Mobilfunkfrequenzbänder von 2,3 bis 4,0 GHz abdecken.
Im Zuge des weltweiten Ausbaus von 5G-Netzen können Mobilfunknetzbetreiber 32T32R-Funkgeräte verwenden, um ihre Massive-MIMO-Abdeckung über dichte Stadtgebiete hinaus in weniger dichte Stadtgebiete zu erweitern. Durch 32 statt 64 Antennen lasse sich die Netzabdeckung kosteneffizienter gewährleisten. Gleichzeitig bleiben laut NXP dank Massive MIMO die Vorteile von 5G erhalten.
Die 32T32R-Lösungen liefern die doppelte Leistung im gleichen Gehäuse wie die 64T64R-Lösungen, was in einer kleineren und leichteren 5G-Gesamtlösung resultiert, so NXP weiter. Mit Hilfe der Pin-Kompatibilität sollen Netzbetreiber schnell über Frequenz- und Leistungsstufen hinweg skalieren können.
Die Serie von diskreten GaN-Lösungen sei für eine durchschnittliche Leistung von 10 W an der Antenne ausgelegt und ziele auf 320-W-Funkeinheiten mit einem Drain-Wirkungsgrad von bis zu 58 Prozent ab. Sie umfasse Treiber- und Endstufentransistoren und nutze die gut linearisierbare HF-GaN-Technik von NXP.
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